功能描述：MOSFET N-CH 800V SOT-223

制造商：ixys integrated circuits division

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 欧姆 @ 100mA， 0V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：115pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

标准包装：1

CPC3982TTR

CPC40055ST

CPC5001G

CPC5001GSTR

CPC5002G

CPC5002GSTR

CPC5601D

CPC5602

CPC5602C

CPC5602CTR